1，半導體材料廢氣概述

半導體設備工藝中需要使用多種多樣獨特氣體、大量酸、堿等化工品及其有機溶液和揮發物液態，這種氣體和化工品在半導體設備的差異工藝中應用，造成酸性、偏堿、有機化合物等廢氣，這種廢氣假如未經處置立即排出，將造成重大的污染問題，不僅影響大眾的身心健康，惡變環境空氣，導致環境污染污染情況等，因而，一定要對半導體材料廢氣開展凈化處理加工后，做到空氣污染物規范排出。

1.1半導體材料廢氣污染物來源

（1）酸性/偏堿工藝廢氣

酸性廢氣來自工藝步驟中使用的各種各樣硫酸液和酸性氣體對芯片的浸蝕過程和清理全過程，主要污染物為氯化物、硫酸霧、氮氧化合物、氯化氫；偏堿廢氣來自蝕刻工藝流程和工藝全過程中使用的氫氧化鈉和二氧化氮，主要成份為氨。

（2）有機化學廢氣

有機化學廢氣污染物質甲苯、工業甲醇、二甲苯和丙酮來自應用有機溶液清洗和光刻技術全過程。半導體設備工藝中使用的有機溶液量非常大，因而，對有機化學廢氣解決采用獨立處理設備。

（3）獨特氣體工藝廢氣

獨特氣體工藝廢氣指的是在空氣氧化、蔓延、CVD堆積、干法刻蝕、干法刻蝕等工序中產生的少量氯硅烷、磷烷、硼烷、及其CLa、CF4。

2.半導體材料廢氣處理辦法

2.1半導體材料工藝尾氣處理

（1）夾雜氣體工藝尾氣處理

在集成電路板的加工過程中，夾雜氣體工藝廢氣主要來自蔓延、CVD堆積、干法刻蝕工藝流程，廢氣里面含有少量氯硅烷、磷烷、三氯化硼、硼烷等特殊氣體。

為避免出現工藝廢氣中獨特氣體的排放濃度忽然擴大的情況和其他出現意外突發狀況，保證工藝廢氣的安全性解決實際效果，經根源處理后的工藝廢氣再經過有機化學廢氣解決系統和酸性廢氣解決系統軟件加工后排出。

即規定擴散爐、強束流離子注入機、較低濃度的離子注入機、CVD機配套設施工藝尾氣凈化裝置，工藝廢氣再經過有機化學廢氣解決系統和酸性廢氣解決系統軟件加工后排出。

集成電路芯片廠一般配套的工藝尾氣凈化裝置選用燃燒法解決這種廢氣，并將燃燒完的排氣管再經過有機化學廢氣解決系統和酸性廢氣解決系統軟件作進一步加工處理。

燃燒后SiO2、PO等細顆粒物沉積，燃燒所產生的廢氣列入酸性廢氣解決系統軟件，可被堿液噴淋消化吸收凈化處理解決。

（2）干式刻蝕工藝尾氣處理

干法刻蝕應用氫氣、四氟化碳等全氯化物（PFCs），絕大多數氫氣和全氯化物轉化成氯化氫和氯化物，未反映一部分經配套的工藝尾氣凈化裝置解決，再經過有機化學廢氣解決系統和酸性廢氣解決系統軟件加工后排出。一般對氫氣和全氯化物工藝廢氣選用有機化學吸附法處理。

2.2半導體材料工藝廢氣解決

（1）酸堿度廢氣處理辦法

對清洗槽所產生的強酸強堿廢氣、含氟量廢氣及其預備處理后廢氣，運輸進到強酸強堿凈化塔，根據酸堿中和法將半導體設備工藝里的酸性堿廢氣、含氟量廢氣除去，做到環境保護排放的規定。

強酸強堿凈化塔歸屬于求微分觸碰倒流式，塔身體內的填料是汽液二相接觸到的基本上預制構件。塔架外部的氣體進到塔架后，氣體進到填料層，填料層上面有來自于頂部的噴灑液態及前面的噴灑液態，并且在填料上產生一層附面層，氣體流過填料間隙時，與填料附面層觸碰并進行了消化吸收或化學反應速率，填料層能提供足夠大的面積，對氣體流動性又不會導致過大的摩擦阻力，經消化吸收或中和后氣體經除霧器搜集后，經排氣口排出來塔外。廢氣由離心風機自通風風管吸進，由下而上越過填料層冷卻循環水由塔內根據液體分布器，均勻地噴灑到填料層中，順著填料層外表往下流動性，進到循環水箱。因為上升氣流和降低吸附劑在填料中不斷觸碰，上升氣流中流食的含量急劇下降，到塔上時實現排出規定。附面層里的液態在重力作用下注入循環水池，并由循環水泵抽出來循環系統。洗滌塔以上的配置有除霧系統軟件，凈化處理后氣體根據除霧器的彎折安全通道，在慣性力矩及作用力的影響下將空氣中攜帶的液體分出，處理后的廢氣以一定速度流過除霧器，廢氣被迅速、持續更改運動方向，因向心力和慣性的作用，廢氣里的細顆粒物撞擊到除霧器葉片上被抓集出來，細顆粒物匯聚產生流水，因作用力的功效，降落至漿料池中，完成了氣液分離，導致流過除霧器的廢氣做到除霧要求后排出來。

（2）有機化學廢氣處理辦法

清洗槽、光刻技術、去膠機等造成的有機廢氣，然而對于有機化學廢氣處理辦法有許多種，普遍主要包括活性炭吸附法、燃燒法、UV光氧催化凈化處理法等，下面，創清環保小編詳解半導體材料有機化學廢氣處理辦法。

①活性炭吸附法

活性炭吸附法關鍵基本原理就是利用多孔結構固態吸收劑（活性炭、硅橡膠、碳分子篩等）來處理有機化學廢氣，這樣就能夠根據離子鍵力或者分子引力充足吸咐有危害成份，而且把它吸咐在吸收劑表面，以達到凈化處理有機化學廢氣的效果。吸附法現階段主要應用于風大量、較低濃度的（≤800mg/m3）、無細顆粒物、無黏性物、常溫下的較低濃度的有機化學廢氣凈化處理解決。

活性碳凈化率高（活性炭過濾可以達到95%之上），好用遍布，控制簡易，項目投資低。在吸咐飽和狀態之后必須更換新活性碳，拆換活性碳必須花費，更換下來的飽和狀態往后的活性碳也是要找專業人員進行危險廢物處理，運作費用高。

②燃燒法

燃燒法不在有機廢氣在高溫及氣體充裕條件下開展徹底燃燒，分解為CO2和H2O。燃燒法適用各種有機化學廢氣，可分為立即燃燒、供熱燃燒和催化反應燃燒。

排放濃度超過5000mg/m3的濃度較高的廢氣一般采用立即燃燒法，此方法將VOCs廢氣做為然料開展燃燒，燃燒環境溫度一般控制在1100℃，解決高效率，可達到95％一99％。

供熱燃燒法適用于解決濃度值在1000—5000mg/m3的廢氣，選用供熱燃燒法，廢氣中VOCs濃度值比較低，需要借助別的然料或燃燒氣體，供熱燃燒所需要的環境溫度較立即燃燒低，大約為540—820℃。燃燒法解決VOCs廢氣處理高效率，但VOCs廢氣若帶有S、N等元素，燃燒后產生的廢氣立即排放也會導致二次污染。

根據供熱燃燒或是催化反應燃燒法處置有機化學廢氣，其凈化率是比較高的，但其項目投資經營成本非常高。因廢氣排放的點多且分散化，很難實現集中化搜集。燃燒設備必須好幾套且需要非常大的占地總面積。供熱燃燒比較合適24個小時接連不斷運作且含量較高且相對穩定的廢氣工作狀況，不適宜間歇性的生產生產線工作狀況。催化反應燃燒的投資和運營費用相對性供熱燃燒比較低，但凈化處理高效率也相對較低一些；但貴金屬催化劑容易因為廢氣里的殘渣（如硫酸鹽）等造成中毒了無效，而拆換金屬催化劑費用非常高；并且對廢氣進氣口標準的控制比較嚴格，不然會導致催化反應燃燒室阻塞而引起安全生產事故。

③UV光氧催化凈化處理法

UV光氧催化凈化處理法運用較高能UV紫外光光線溶解空氣中氧原子造成游離氧（即臭氧），因游離氧所帶上反質子不均衡因此需與氧原子融合，進而產生活性氧，活性氧具有極強的還原性，根據活性氧對有機化學廢氣、惡臭味氣體開展協作光氧催化化學作用，使有機化學廢氣、惡臭味氣體化學物質溶解轉換成低分子化合物、CO2和H2O。

UV光氧催化凈化處理法具備高效率解決高效率，可以達到95%之上；適應性強，可融入中較低濃度的，空氣量，不一樣有機化學廢氣及其惡臭味氣體物質的凈化處理解決；商品質量穩定，運轉平穩安全可靠，每日可24鐘頭連續工作；使用成本低，機器設備能耗低，不用專職人員管理方法與維護，僅需作定期維護。UV光打法因選用光氧催化基本原理，控制模塊采用隔爆解決，消除了安全風險，防火安全、防爆型、耐腐蝕特性高，設備平安穩定，尤其適用化工廠、制藥業等防爆要求強的領域。

之上有關半導體材料廢氣處理辦法詳細介紹，希望可以幫到您，其實對于半導體材料廢氣解決，一般是應該根據廢氣的濃度值、造成量、廢氣成份、怎樣搜集等方面進行設計方案。如果你有半導體材料廢氣必須清潔解決，隨時可以撥打客服電話，資詢創清環境保護,為您帶來半導體材料廢氣處理方案及設備。